- 产品型号:AOB4S60L
- 制 造 商:AOS(美国万代半导体)
- 出厂封装:TO-263-3,D2Pak
- 功能类别:FET - 单
- 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
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AOS万代半导体公司完整型号: AOB4S60L
制造厂家名称: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
系列: aMOS?
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 900 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 263pF @ 100V
功率 - 最大值: 83W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263(D2Pak)