- 产品型号:AON5810
- 制 造 商:AOS(美国万代半导体)
- 出厂封装:6-SMD,扁平引线裸焊盘
- 功能类别:FET - 阵列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
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AOS万代半导体公司完整型号: AON5810
制造厂家名称: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
系列: -
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 7.7A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 18 毫欧 @ 7.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 13.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1360pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线裸焊盘
供应商器件封装: 6-DFN-EP(2x5)