- 产品型号:DMG1026UV-7
- 制 造 商:Diodes(美台半导体)
- 出厂封装:SOT-563
- 功能类别:场效应管阵列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 410MA SOT-563
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Diodes公司完整型号:DMG1026UV-7
制造厂家名称:Diodes Incorporated
描述:MOSFET 2N-CH 60V 410MA SOT-563
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):410mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):32pF @ 25V
功率 - 最大值:580mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563