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Diodes公司完整型号：DMG4932LSD-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1932pF @ 15V

功率 - 最大值：1.19W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽）

供应商器件封装：8-SO