- 产品型号:DMHC3025LSDQ-13
- 制 造 商:Diodes(美台半导体)
- 出厂封装:8-SOIC
- 功能类别:FET - 阵列
- 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
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Diodes公司完整型号: DMHC3025LSDQ-13
制造厂家名称: Diodes Incorporated
功能总体简述: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
系列: -
FET 类型: 2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥)
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 6A,4.2A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 25 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 11.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 590pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO