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Diodes公司完整型号：DMN10H170SFG-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.9A（Ta），8.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：122 毫欧 @ 3.3A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：870.7pF @ 25V

功率 - 最大值：940mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVQFN

供应商器件封装：PowerDI3333-8