DMN2011UFDE-7 >>> Diodes芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供Diodes公司DMN2011UFDE-7报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购DMN2011UFDE-7？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

Diodes公司完整型号：DMN2011UFDE-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11.7A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.5 毫欧 @ 7A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：56nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2248pF @ 10V

功率 - 最大值：610mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-UDFN2020（2x2）