- 产品型号:DMN5L06DMKQ-7
- 制 造 商:Diodes(美台半导体)
- 出厂封装:SOT-23-6
- 功能类别:FET - 阵列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26
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Diodes公司完整型号: DMN5L06DMKQ-7
制造厂家名称: Diodes Incorporated
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26
系列: -
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 305mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 2 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 50pF @ 25V
功率 - 最大值: 400mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6
供应商器件封装: SOT-26