- 产品型号:DMN6075S-13
- 制 造 商:Diodes(美台半导体)
- 出厂封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 功能类别:FET - 单
- 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
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Diodes公司完整型号: DMN6075S-13
制造厂家名称: Diodes Incorporated
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 85 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 606pF @ 20V
功率 - 最大值: 800mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23