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Diodes公司完整型号: DMT8012LPS-13

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 9A（Ta），65A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 17 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 34nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1949pF @ 40V

功率 - 最大值: 2.1W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: PowerDI5060-8（4.9x5.8）