- 产品型号:ZXMC3A18DN8TA
- 制 造 商:Diodes(美台半导体)
- 出厂封装:8-SOP
- 功能类别:场效应管阵列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
深圳市诺森半导电子有限公司提供ZXMC3A18DN8TA报价、现货供应、技术资料下载获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格,那就马上与我们联系吧!
ZXMC3A18DN8TA >>> Diodes芯片,深圳市诺森半导电子有限公司提供Diodes公司ZXMC3A18DN8TA报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载,想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗?那就马上与我们联系吧!
采购ZXMC3A18DN8TA?不再犹豫,找我们没错!对有长期需求的制造商,提供免费样品!从前期的产品试产到大批量生产,我们将提供性价比最高的现货供应服务!
Diodes公司完整型号:ZXMC3A18DN8TA
制造厂家名称:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.8A,4.8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):25 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1800pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP