- 产品型号:ZXMN2AMCTA
- 制 造 商:Diodes(美台半导体)
- 出厂封装:8-DFN
- 功能类别:场效应管阵列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN
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Diodes公司完整型号:ZXMN2AMCTA
制造厂家名称:Diodes Incorporated
描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):299pF @ 15V
功率 - 最大值:1.7W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-DFN(3x2)