- 产品型号:AUIRF7343QTR
- 制 造 商:IR(国际整流器公司)
- 出厂封装:8-SOIC
- 功能类别:场效应管阵列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
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IR公司完整型号:AUIRF7343QTR
制造厂家名称:International Rectifier
描述:MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
系列:HEXFET
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.7A,3.4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 4.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):740pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC