- 产品型号:IRFH5304TRPBF
- 制 造 商:IR(国际整流器公司)
- 出厂封装:PQFN
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
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IR公司完整型号:IRFH5304TRPBF
制造厂家名称:International Rectifier
描述:MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
系列:HEXFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):22A(Ta),79A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 47A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2360pF @ 10V
功率 - 最大值:3.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-VQFN
供应商器件封装:PQFN(5x6)单芯片焊盘