IRFHE4250DTRPBF >>> IR芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供IR公司IRFHE4250DTRPBF报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购IRFHE4250DTRPBF？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

IR公司完整型号：IRFHE4250DTRPBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

系列：FASTIRFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：86A，303A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.75 毫欧 @ 27A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1735pF @ 13V

功率 - 最大值：156W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：32-PowerWFQFN

供应商器件封装：32-PQFN （6x6）