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IR公司完整型号：IRL6372PBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

系列：HEXFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.1A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：17.9 毫欧 @ 8.1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1020pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO