- 产品型号:IXFN38N100P
- 制 造 商:IXYS
- 出厂封装:SOT-227B
- 功能类别:场效应管模块
- 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
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IXYS公司完整型号:IXFN38N100P
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
系列:HiPerFET, PolarP2
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):38A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):210 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):350nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):24000pF @ 25V
功率 - 最大值:1000W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:SOT-227B