- 产品型号:IXTY2N100P
- 制 造 商:IXYS
- 出厂封装:TO-252
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252
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IXYS公司完整型号:IXTY2N100P
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252
系列:Polar?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):655pF @ 25V
功率 - 最大值:86W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)