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IXYS公司完整型号：VMM650-01F

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI

系列：HiPerFET?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：680A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.2 毫欧 @ 500A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 30mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1440nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：-

安装类型：底座安装

封装/外壳：Y3-Li

供应商器件封装：Y3-Li