- 产品型号:BSS159N H6906
- 制 造 商:Infineon(英飞凌)
- 出厂封装:PG-SOT23-3
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
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Infineon英飞凌公司完整型号:BSS159N H6906
制造厂家名称:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
系列:SIPMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:耗尽模式
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):230mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 160mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 26μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):44pF @ 25V
功率 - 最大值:360mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:PG-SOT23-3