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Infineon英飞凌公司完整型号：BSS192PE6327T

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89

系列：SIPMOS

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：250V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：190mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 欧姆 @ 190mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 130μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.1nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：104pF @ 25V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：PG-SOT89-4