- 产品型号:BSZ100N03LS G
- 制 造 商:Infineon(英飞凌)
- 出厂封装:PG-TSDSON-8
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
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Infineon英飞凌公司完整型号:BSZ100N03LS G
制造厂家名称:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Ta),40A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1500pF @ 15V
功率 - 最大值:30W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)