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IPB80N04S3-06
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Infineon英飞凌公司完整型号:IPB80N04S3-06

制造厂家名称:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

系列:OptiMOS?

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压 (Vdss):40V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.4 毫欧 @ 80A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 52μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):47nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3250pF @ 25V

功率 - 最大值:100W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:PG-TO263-3


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