IPD65R380E6ATMA1 >>> 英飞凌芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供英飞凌公司IPD65R380E6ATMA1报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购IPD65R380E6ATMA1？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

Infineon英飞凌公司完整型号: IPD65R380E6ATMA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

系列: CoolMOS E6

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10.6A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 380 毫欧 @ 3.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 320μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 39nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 710pF @ 100V

功率 - 最大值: 83W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3