- 产品型号:2N6770
- 制 造 商:Microsemi(美高森美)
- 出厂封装:TO-3
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 800V TO-204AE TO-3
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Microsemi美高森美完整型号:2N6770
制造厂家名称:Microsemi Commercial Components Group
描述:MOSFET N-CH 800V TO-204AE TO-3
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):500 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:4W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-204AE
供应商器件封装:TO-3