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APT31M100B2
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Microsemi美高森美完整型号:APT31M100B2

制造厂家名称:Microsemi Power Products Group

描述:MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

系列:POWER MOS 8?

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):32A(Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):380 毫欧 @ 16A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):260nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8500pF @ 25V

功率 - 最大值:1040W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3 变式

供应商器件封装:T-MAX [B2]


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