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APTM20DUM10TG
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Microsemi美高森美完整型号:APTM20DUM10TG

制造厂家名称:Microsemi Power Products Group

描述:MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

系列:-

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:标准

漏源极电压 (Vdss):200V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):175A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):12 毫欧 @ 87.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):224nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13700pF @ 25V

功率 - 最大值:694W

安装类型:底座安装

封装/外壳:SP4

供应商器件封装:SP4


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