- 产品型号:APTMC60TL11CT3AG
- 制 造 商:Microsemi(美高森美)
- 出厂封装:SP3
- 功能类别:场效应管模块
- 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
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Microsemi美高森美完整型号:APTMC60TL11CT3AG
制造厂家名称:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
系列:-
FET 类型:4 个 N 通道(三级反相器)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):28A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):98 毫欧 @ 20A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):49nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):950pF @ 1000V
功率 - 最大值:125W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3