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PDTD114ETR
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Nexperia公司器件型号:PDTD114ETR

制造商:Nexperia USA Inc.(安世半导体)-2017年从NXP分离

功能总体描述:TRANS PREBIAS NPN 0.425W

所属类别:双极 (BJT) - 单,预偏置-晶体管

系列:-

零件状态:在售

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k

电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:225MHz

功率 - 最大值:320mW

安装类型:表面贴装

封装形式:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

Nexperia公司标准封装:TO-236AB(SOT23)

PDTD114ETR的标准包装数量(SPQ):3000 PCS


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