- 产品型号:PMGD175XNEAX
- 制 造 商:Nexperia(安世半导体)
- 出厂封装:SOT-363
- 功能类别:FET,MOSFET - 阵列-晶体管
- 功能描述:MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SOT363
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Nexperia公司器件型号:PMGD175XNEAX
制造商:Nexperia USA Inc.(安世半导体)-2017年从NXP分离
功能总体描述:MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SOT363
所属类别:FET,MOSFET - 阵列-晶体管
系列:-
零件状态:在售
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):900mA(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):252 毫欧 @ 900mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.65nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):81pF @ 15V
功率 - 最大值:390mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装形式:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
Nexperia公司标准封装:SOT-363
PMGD175XNEAX的标准包装数量(SPQ):3000 PCS