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Nexperia公司器件型号：PMZB350UPE,315

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离

功能总体描述：MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN

所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管

系列：-

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：127pF @ 10V

Vgs（最大值）：±8V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Ta），3.125W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 300mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

Nexperia公司标准封装：3-DFN1006B（0.6x1）

封装形式：3-XFDFN

PMZB350UPE的标准包装数量(SPQ)：10000 PCS