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Nexperia公司器件型号：PSMN1R1-40BS,118

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离

功能总体描述：MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管

系列：-

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：136nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9710pF @ 20V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：306W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.3 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

Nexperia公司标准封装：D2PAK

封装形式：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

PSMN1R1-40BS的标准包装数量(SPQ)：800 PCS