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Nexperia公司器件型号：PSMN6R3-120ESQ

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离

功能总体描述：MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管

系列：-

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：120V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：70A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：207.1nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：11384pF @ 60V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：405W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.7 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

Nexperia公司标准封装：I2PAK

封装形式：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

PSMN6R3-120ESQ的标准包装数量(SPQ)：- PCS