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ON安森美半导体完整型号：2N5458G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 25V 310MW TO92

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25V

漏源极电压 (Vdss)：25V

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：2mA @ 15V

漏极电流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 10nA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7pF @ 15V

电阻 - RDS（开）：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体

供应商器件封装：TO-92-3

功率 - 最大值：310mW