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MCH6601-TL-E
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ON安森美半导体完整型号:MCH6601-TL-E

制造厂家名称:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2P-CH 30V 0.2A MCPH6

系列:-

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):30V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):200mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10.4 欧姆 @ 50mA,4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.43nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7.5pF @ 10V

功率 - 最大值:800mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-SMD,无引线

供应商器件封装:6-MCPH


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