- 产品型号:MTB50P03HDLT4G
- 制 造 商:ON(安森美半导体)
- 出厂封装:D2PAK
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
深圳市诺森半导电子有限公司提供MTB50P03HDLT4G报价、现货供应、技术资料下载获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格,那就马上与我们联系吧!
MTB50P03HDLT4G >>> 安森美芯片,深圳市诺森半导电子有限公司提供ON安森美公司MTB50P03HDLT4G报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载,想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗?那就马上与我们联系吧!
采购MTB50P03HDLT4G?不再犹豫,找我们没错!对有长期需求的制造商,提供免费样品!从前期的产品试产到大批量生产,我们将提供性价比最高的现货供应服务!
ON安森美半导体完整型号:MTB50P03HDLT4G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):25 毫欧 @ 25A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):100nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4900pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK