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MTP12P10G
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ON安森美半导体完整型号:MTP12P10G

制造厂家名称:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

系列:-

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压 (Vdss):100V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):300 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):920pF @ 25V

功率 - 最大值:75W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB


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