- 产品型号:MUN2135T1G
- 制 造 商:ON(安森美半导体)
- 出厂封装:*
- 功能类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
深圳市诺森半导电子有限公司提供MUN2135T1G报价、现货供应、技术资料下载获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格,那就马上与我们联系吧!
MUN2135T1G >>> 安森美芯片,深圳市诺森半导电子有限公司提供ON安森美公司MUN2135T1G报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载,想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗?那就马上与我们联系吧!
采购MUN2135T1G?不再犹豫,找我们没错!对有长期需求的制造商,提供免费样品!从前期的产品试产到大批量生产,我们将提供性价比最高的现货供应服务!
ON安森美半导体完整型号: MUN2135T1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
系列: -
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 2.2k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): 47k
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 80 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 300μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 230mW
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商器件封装: *