- 产品型号:MUN5312DW1T1G
- 制 造 商:ON(安森美半导体)
- 出厂封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
- 功能类别:阵列﹐预偏压式晶体管
- 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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ON安森美半导体完整型号:MUN5312DW1T1G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
系列:-
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):22k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):22k
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363