- 产品型号:MVSF2N02ELT1G
- 制 造 商:ON(安森美半导体)
- 出厂封装:SOT-23-3
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
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ON安森美半导体完整型号:MVSF2N02ELT1G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.8A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.5nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):150pF @ 5V
功率 - 最大值:1.25W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)