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ON安森美半导体完整型号：NGTB30N60SWG

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 60A 189W TO247

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.2V @ 15V，30A

功率 - 最大值：189W

Switching Energy：750μJ（开）， 540μJ（关）

输入类型：标准

Gate Charge：90nC

25°C 时 Td（开/关）值：57ns/109ns

Test Condition：400V, 30A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：200ns

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247