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NGTB30N65IHL2WG
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ON安森美半导体完整型号: NGTB30N65IHL2WG

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: IGBT 600V 70A 300W TO247

系列: -

IGBT 类型: 沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650V

电流 - 集电极(Ic)(最大值): 60A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 120A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.2V @ 15V,30A

功率 - 最大值: 300W

开关能量: 200μJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 135nC

25°C 时 Td(开/关)值: -/145ns

测试条件: 400V,30A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr): 430ns

封装/外壳: TO-247-3

安装类型: 表面贴装

供应商器件封装: TO-247-3


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