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ON安森美半导体完整型号：NGTB75N65FL2WG

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 75A TO247

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100A

Current - Collector Pulsed (Icm)：200A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，75A

功率 - 最大值：595W

Switching Energy：1.5mJ（开），1mJ（关）

输入类型：标准

Gate Charge：310nC

25°C 时 Td（开/关）值：110ns/270ns

Test Condition：400V, 75A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：80ns

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247