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NSVB143ZPDXV6T1G
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ON安森美半导体完整型号: NSVB143ZPDXV6T1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

系列: -

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 4.7k

电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): 47k

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 80 @ 5mA,10V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563


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