- 产品型号:NSVB143ZPDXV6T1G
- 制 造 商:ON(安森美半导体)
- 出厂封装:SOT-563,SOT-666
- 功能类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 功能描述:TRANS BRT 50V 100MA SOT563
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ON安森美半导体完整型号: NSVB143ZPDXV6T1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS BRT 50V 100MA SOT563
系列: -
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 4.7k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): 47k
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 80 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563