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NTD4810NH-1G
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ON安森美半导体完整型号:NTD4810NH-1G

制造厂家名称:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

系列:-

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):30V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9A(Ta),54A(Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1225pF @ 12V

功率 - 最大值:1.28W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

供应商器件封装:I-Pak


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