- 产品型号:NTMFS4826NET1G
- 制 造 商:ON(安森美半导体)
- 出厂封装:5-DFN
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
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ON安森美半导体完整型号:NTMFS4826NET1G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.5A(Ta),66A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1850pF @ 12V
功率 - 最大值:870mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN, 5 引线
供应商器件封装:5-DFN, 8-SO 扁引线 (5x6)