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NTZD5110NT5G
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ON安森美半导体完整型号:NTZD5110NT5G

制造厂家名称:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563

系列:-

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):60V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):294mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):24.5pF @ 20V

功率 - 最大值:250mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-563,SOT-666

供应商器件封装:SOT-563


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