DTC115GUAT106 >>> ROHM罗姆芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供ROHM公司DTC115GUAT106报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购DTC115GUAT106？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

ROHM罗姆半导体完整型号: DTC115GUAT106

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

系列: -

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: -

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: 100k

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 82 @ 5mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 300mV @ 250μA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA（ICBO）

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 200mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SC-70，SOT-323

供应商器件封装: UMT3