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RGT50TS65DGC11
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ROHM罗姆半导体完整型号: RGT50TS65DGC11

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: IGBT 650V 48A 174W TO-247N

系列: -

IGBT 类型: 沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650V

电流 - 集电极(Ic)(最大值): 48A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 75A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.1V @ 15V,25A

功率 - 最大值: 174W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 49nC

25°C 时 Td(开/关)值: 27ns/88ns

测试条件: 400V,25A,10欧姆,15V

反向恢复时间(trr): 58ns

封装/外壳: TO-247-3

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247N


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