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RQ3E100BNTB
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ROHM罗姆半导体完整型号: RQ3E100BNTB

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压(Vdss): 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 10A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 10.4 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1100pF @ 15V

功率 - 最大值: 2W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-HSMT(3.2x3)


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