RQ3E100BNTB >>> ROHM罗姆芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供ROHM公司RQ3E100BNTB报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购RQ3E100BNTB？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

ROHM罗姆半导体完整型号: RQ3E100BNTB

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 10.4 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1100pF @ 15V

功率 - 最大值: 2W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-HSMT（3.2x3）